南方华创深耕宽禁带半导体范畴

克日,南方华创微电子胜利取得了位于姑苏的一家着名化合物半导体公司批量推销定单,定单包含了ELEDE 330SG刻蚀机、SW GDE C200刻蚀机、 EPEE550 PECVD在内的数十台设备。南方华创微电子供给的设备将用于该公司扩产5G基站用氮化镓功放芯片名目,作为中国高机能氮化镓芯片IDM抢先企业,该名目将为我国5G通信根本举措措施扶植供给保证。这次是南方华创微电子在宽禁带化合物半导体范畴的严重冲破,具备里程碑意思。

南方华创微电子ELEDE 330SG刻蚀机是宽禁带化合物半导体范畴的关头设备, 利用于正面工艺中的台面刻蚀,SiNx栅槽刻蚀,GaN、SiNx极慢速低毁伤刻蚀。产物连系怪异的离子源设想、高精度低输入的下电极和多片大产能的托盘设想,完成切确的刻蚀速度节制和杰出的工艺平均性节制,知足差别制程的工艺请求,多项关头目标抢先行业程度,成了行业标杆产物,是客户扩产的首选设备。

SW GDE C200系列单半晌蚀机,可完成SiC深孔的高速、平均刻蚀,具备高MTBC的长处,经由过程怪异的工艺调理可完成油滑的刻蚀描摹节制,今朝该设备已经由过程客户手艺考证,取得市场高度承认,在中国宽禁带化合物半导体市场占有首席之位。同时,SW GDE C200系列刻蚀机也是SiC MOSFET 栅槽刻蚀和SiC二极管小角度台面刻蚀的完善处理计划,除SiC资料,该设备还可利用于SiO2、SiN资料的刻蚀,其矫捷的设置设备摆设可知足研发/中试线/量产的请求。

EPEE550 PECVD可用于宽禁带化合物半导体器件钝化层、布局层、就义层等利用,接纳自立开辟的低温混频手艺,可完成高致密性、低应力、高平均性的薄膜堆积,助力客户进步产物机能。停止今朝,该设备国际销量已跨越百台。

另外,在宽禁带化合物半导体范畴,南方华创微电子还可以或许供给SiC晶体成长设备、低温氧化炉、洗濯机等多种关头工艺设备。

5G商用时候表正在加快推动中,作为5G不可替换的焦点手艺,具备高频次、高功率特征的GaN宽禁带半导体财产将迎来成长机缘。南方华创微电子凭仗丰硕的设备工艺手艺储蓄,为该范畴供给了一系列高合作力的关头工艺设备处理计划,本次可以或许获得企业大客户的批量推销定单,也充实考证了南方华创微电子出色的产物气力。南方华创微电子将延续承袭以客户为导向的延续立异,与客户联袂并进,配合开辟财产成长新蓝图。